NE5230DR2
Número de pieza:
NE5230DR2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13194 Pieces
Ficha de datos:
NE5230DR2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Alimentación de voltaje, simple / doble (±):1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V
Voltaje - Offset de entrada:400µV
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Velocidad de subida:0.25 V/µs
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de salida:Rail-to-Rail
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C
Número de circuitos:1
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NE5230DR2
Producto ganancia-ancho:600kHz
Descripción ampliada:General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Descripción:IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
Suministro de corriente:1.1mA
Corriente - Salida / Canal:32mA
Corriente - polarización de entrada:40nA
Tipo amplificador:General Purpose
Ancho de banda de -3 dB:-
Email:[email protected]

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