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NE3210S01-T1B
- Número de pieza:
- NE3210S01-T1B
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descripción:
- FET RF 4V 12GHZ S01
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15505 Pieces
- Ficha de datos:
- NE3210S01-T1B.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NE3210S01-T1B, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NE3210S01-T1B por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 2V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 4V |
| Tipo de transistor: | HFET |
| Paquete del dispositivo: | SMD |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD |
| Figura de ruido: | 0.35dB |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NE3210S01-T1B |
| Ganancia: | 13.5dB |
| Frecuencia: | 12GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD |
| Descripción: | FET RF 4V 12GHZ S01 |
| Valoración actual: | 15mA |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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