NDTL01N60ZT3G
NDTL01N60ZT3G
Número de pieza:
NDTL01N60ZT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12369 Pieces
Ficha de datos:
NDTL01N60ZT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223 (TO-261)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:15 Ohm @ 400mA, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:9 Weeks
Número de pieza del fabricante:NDTL01N60ZT3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:92pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:250mA (Tc)
Email:[email protected]

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