NDPL070N10BG
NDPL070N10BG
Número de pieza:
NDPL070N10BG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13085 Pieces
Ficha de datos:
NDPL070N10BG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10.8 mOhm @ 35A, 15V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 72W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:NDPL070N10BGOS
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NDPL070N10BG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2010pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 70A (Ta) 2.1W (Ta), 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V, 15V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Ta)
Email:[email protected]

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