NDD05N50ZT4G
NDD05N50ZT4G
Número de pieza:
NDD05N50ZT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13992 Pieces
Ficha de datos:
NDD05N50ZT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NDD05N50ZT4G-ND
NDD05N50ZT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:28 Weeks
Número de pieza del fabricante:NDD05N50ZT4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 4.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A (Tc)
Email:[email protected]

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