NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
Número de pieza:
NDD04N50Z-1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13301 Pieces
Ficha de datos:
NDD04N50Z-1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.7 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):61W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:NDD04N50Z-1G-ND
NDD04N50Z-1GOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NDD04N50Z-1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:308pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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