NCV8440ASTT1G
NCV8440ASTT1G
Número de pieza:
NCV8440ASTT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15681 Pieces
Ficha de datos:
NCV8440ASTT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.9V @ 100µA
Vgs (Max):±15V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:110 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.69W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:NCV8440ASTT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:35 Weeks
Número de pieza del fabricante:NCV8440ASTT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 35V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):3.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:59V
Descripción:MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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