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NCP5181DR2G
- Número de pieza:
- NCP5181DR2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16313 Pieces
- Ficha de datos:
- NCP5181DR2G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NCP5181DR2G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NCP5181DR2G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 10 V ~ 20 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Tiempo de subida / bajada (típico): | 40ns, 20ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | NCP5181DR2G-ND NCP5181DR2GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| estilo de la llave: | 2 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NCP5181DR2G |
| Tensión lógica - VIL, VIH: | 0.8V, 2.3V |
| Tipo de entrada: | Non-Inverting |
| High Voltage - Máx (Bootstrap): | 600V |
| Tipo de Puerta: | N-Channel MOSFET |
| Descripción ampliada: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Configuración impulsada: | Half-Bridge |
| Descripción: | IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC |
| Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero): | 1.4A, 2.2A |
| Corriente de carga: | Independent |
| Email: | [email protected] |
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