NCD5701BDR2G
Número de pieza:
NCD5701BDR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19270 Pieces
Ficha de datos:
NCD5701BDR2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:20V
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:NCD5701
Tiempo de subida / bajada (típico):18ns, 19ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:NCD5701BDR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave:1
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:29 Weeks
Número de pieza del fabricante:NCD5701BDR2G
Tensión lógica - VIL, VIH:-
Tipo de entrada:-
Tipo de Puerta:IGBT
Descripción ampliada:Low-Side Gate Driver IC 8-SOIC
Configuración impulsada:Low-Side
Descripción:HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):7.8A, 6.8A
Corriente de carga:Single
Email:[email protected]

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