Comprar MURT30060R con BYCHPS
Compre con garantía
MURT30060R
- Número de pieza:
- MURT30060R
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13706 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.MURT30060R.pdf2.MURT30060R.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MURT30060R, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MURT30060R por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 150A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | Three Tower |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 200ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Three Tower |
| Otros nombres: | MURT30060RGN |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MURT30060R |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Anode |
| Descripción: | DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 25µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 300A (DC) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MURT30060R
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MURT30040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER | Investigación |
|
MURT30005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog