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MURT10060
- Número de pieza:
- MURT10060
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18869 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.MURT10060.pdf2.MURT10060.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MURT10060, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MURT10060 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 100A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | Three Tower |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 75ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Three Tower |
| Otros nombres: | MURT10060GN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MURT10060 |
| Descripción ampliada: | Diode Array Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | - |
| Descripción: | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 25µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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