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MTZJT-779.1B
- Número de pieza:
- MTZJT-779.1B
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19906 Pieces
- Ficha de datos:
- MTZJT-779.1B.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MTZJT-779.1B, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MTZJT-779.1B por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Zener (Nombre) (Vz): | 9.1V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | - |
| Tolerancia: | ±3% |
| Paquete del dispositivo: | MSD |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AG, DO-34, Axial |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MTZJT-779.1B |
| Impedancia (Max) (ZZT): | 20 Ohm |
| Descripción ampliada: | Zener Diode 500mW ±3% Through Hole MSD |
| Descripción: | DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 500nA @ 6V |
| Email: | [email protected] |
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