MTD5P06VT4G
MTD5P06VT4G
Número de pieza:
MTD5P06VT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15900 Pieces
Ficha de datos:
MTD5P06VT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:450 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 40W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:MTD5P06VT4GOS
MTD5P06VT4GOS-ND
MTD5P06VT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MTD5P06VT4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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