español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Circuitos integrados IC > Memoria > MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR
Número de pieza:
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14024 Pieces
Ficha de datos:
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Suministro de voltaje:1.7 V ~ 1.95 V
Paquete del dispositivo:168-WFBGA (12x12)
Velocidad:208MHz
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:168-WFBGA
Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:4Gb (128M x 32)
Formato de memoria:DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR
Interfaz:Parallel
Descripción:IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 240WFBGA Investigación
MT46H128M32L2MC-5 IT:A Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA Investigación
MT46H128M32L2MC-5 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Image MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Image MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA Investigación
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Image MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA Investigación

Latest Noticias