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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
- Número de pieza:
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC FLASH 6G DDR2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19493 Pieces
- Ficha de datos:
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 1.8V |
|---|---|
| Velocidad: | 533MHz |
| Serie: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Formato de memoria: | FLASH, RAM |
| Número de pieza del fabricante: | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC FLASH 6G DDR2 |
| Email: | [email protected] |
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