Comprar MSRT100120(A)D con BYCHPS
Compre con garantía
MSRT100120(A)D
- Número de pieza:
- MSRT100120(A)D
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13264 Pieces
- Ficha de datos:
- MSRT100120(A)D.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MSRT100120(A)D, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MSRT100120(A)D por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 100A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | Three Tower |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Three Tower |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MSRT100120(A)D |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Three Tower |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 1 Pair Series Connection |
| Descripción: | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MSRT100120(A)D
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRT10080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER | Investigación |
|
MSRT100160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER | Investigación |
|
MSRT10060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | Investigación |
|
MSRT100140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER | Investigación |
|
MSRT150100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER | Investigación |
|
MSRT15080(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER | Investigación |
|
MSRT15060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER | Investigación |
|
MSRT100100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER | Investigación |
|
MSRT15060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog