MS2322 - Microsemi Corporation - Transistores-bipolar (BJT)-RF MS2322

MS2322

Número de pieza:: MS2322

Fabricante:: Microsemi

Descripción:: TRANS RF BIPO 87.5W 1.5A M115

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 14417 Pieces

Ficha de datos:: MS2322.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	65V
Tipo de transistor:	NPN
Paquete del dispositivo:	M115
Serie:	-
Potencia - Max:	87.5W
embalaje:	Bulk
Paquete / Cubierta:	M115
Temperatura de funcionamiento:	-
La figura de ruido (dB Typ @ f):	-
Tipo de montaje:	Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	MS2322
Ganancia:	10dB
Frecuencia - Transición:	1.025GHz ~ 1.15GHz
Descripción ampliada:	RF Transistor NPN 65V 1.5A 1.025GHz ~ 1.15GHz 87.5W Chassis Mount M115
Descripción:	TRANS RF BIPO 87.5W 1.5A M115
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	10 @ 100mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):	1.5A
Email:	[email protected]

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