Comprar MRF7P20040HSR3 con BYCHPS
Compre con garantía
MRF7P20040HSR3
- Número de pieza:
- MRF7P20040HSR3
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17670 Pieces
- Ficha de datos:
- MRF7P20040HSR3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MRF7P20040HSR3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MRF7P20040HSR3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 32V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | NI-780S-4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 10W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | NI-780S-4 |
| Otros nombres: | 935310091128 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | MRF7P20040HSR3 |
| Ganancia: | 18.2dB |
| Frecuencia: | 2.03GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 32V 150mA 2.03GHz 18.2dB 10W NI-780S-4 |
| Descripción: | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MRF7P20040HSR3
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF7P20040HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 | Investigación |
 |
MRF7P20040HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 | Investigación |
 |
MRF8S9100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 920MHZ NI-780 | Investigación |
 |
275X2-102N06A-00 | IXYS | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | Investigación |
 |
MRF8S7170NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 748MHZ OM780-2 | Investigación |
 |
PTVA123501FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-2 | Investigación |
 |
BLA1011-2,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A | Investigación |
 |
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | Investigación |
|
MRF5S19090HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | Investigación |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog