Comprar MRF6S21060NR1 con BYCHPS
Compre con garantía
MRF6S21060NR1
- Número de pieza:
- MRF6S21060NR1
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17462 Pieces
- Ficha de datos:
- MRF6S21060NR1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MRF6S21060NR1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MRF6S21060NR1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 68V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | TO-270 WB-4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 14W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-270AB |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | MRF6S21060NR1 |
| Ganancia: | 15.5dB |
| Frecuencia: | 2.12GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 28V 610mA 2.12GHz 15.5dB 14W TO-270 WB-4 |
| Descripción: | FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 610mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MRF6S21060NR1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S21060MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | Investigación |
|
MRF6S21190HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ NI880S | Investigación |
|
MRF6S21140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S | Investigación |
|
MRF6S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S | Investigación |
|
MRF6S21060MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 | Investigación |
 |
MRF6S21060NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | Investigación |
|
MRF6S21050LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | Investigación |
|
MRF6S21050LSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S | Investigación |
|
MRF6S21050LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S | Investigación |
|
MRF6S21100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S | Investigación |
 |
MRF6S21050LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | Investigación |
|
MRF6S21140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S | Investigación |
 |
MRF6S21190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ NI880 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog