Comprar MRF6S19200HR3 con BYCHPS
Compre con garantía
MRF6S19200HR3
- Número de pieza:
- MRF6S19200HR3
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- FET RF 66V 1.99GHZ NI780
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13339 Pieces
- Ficha de datos:
- MRF6S19200HR3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MRF6S19200HR3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MRF6S19200HR3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 66V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | NI-780 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 56W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | NI-780 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | MRF6S19200HR3 |
| Ganancia: | 17.9dB |
| Frecuencia: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.9dB 56W NI-780 |
| Descripción: | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MRF6S19200HR3
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S19200HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | Investigación |
 |
MRF6S19140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S | Investigación |
 |
MRF6S19100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | Investigación |
|
MRF6S19200HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780S | Investigación |
|
MRF6S19200HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780S | Investigación |
|
MRF6S19060MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 | Investigación |
|
MRF6S19100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | Investigación |
 |
MRF6S19140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 | Investigación |
|
MRF6S19100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | Investigación |
|
MRF6S19120HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | Investigación |
|
MRF6S19120HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | Investigación |
|
MRF6S19060NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 | Investigación |
 |
MRF6S19100NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers