MPSA13ZL1G
Número de pieza:
MPSA13ZL1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15920 Pieces
Ficha de datos:
MPSA13ZL1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo de transistor:NPN - Darlington
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
Potencia - Max:625mW
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:MPSA13ZL1G-ND
MPSA13ZL1GOSTB
MPSA13ZL1GOSTR
MPSA13ZL1GOSTR-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MPSA13ZL1G
Frecuencia - Transición:125MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Descripción:TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:10000 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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