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MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
Número de pieza:
MMIX1F44N100Q3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 30A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19306 Pieces
Ficha de datos:
1.MMIX1F44N100Q3.pdf2.MMIX1F44N100Q3.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 8mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:24-SMPD
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:245 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo):694W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:24-PowerSMD, 21 Leads
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMIX1F44N100Q3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:264nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 30A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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