MMDF3N02HDR2G
Número de pieza:
MMDF3N02HDR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16038 Pieces
Ficha de datos:
MMDF3N02HDR2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:MMDF3N02HDR2G-ND
MMDF3N02HDR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MMDF3N02HDR2G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

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