MMBT6517LT3G
MMBT6517LT3G
Número de pieza:
MMBT6517LT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16860 Pieces
Ficha de datos:
MMBT6517LT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1V @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potencia - Max:225mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MMBT6517LT3G-ND
MMBT6517LT3GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MMBT6517LT3G
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descripción:TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):50nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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