MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Número de pieza:
MMBT2907ALT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16955 Pieces
Ficha de datos:
MMBT2907ALT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor:PNP
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:111806
MMBT2907ALT1GOS
MMBT2907ALT1GOS-ND
MMBT2907ALT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMBT2907ALT1G
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descripción:TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):10nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

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