MMBFJ175LT1G
MMBFJ175LT1G
Número de pieza:
MMBFJ175LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12562 Pieces
Ficha de datos:
MMBFJ175LT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:3V @ 10nA
Tensión - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistencia - RDS (on):125 Ohm
Potencia - Max:225mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MMBFJ175LT1GOS
MMBFJ175LT1GOS-ND
MMBFJ175LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMBFJ175LT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V (VGS)
Tipo FET:P-Channel
Descripción ampliada:JFET P-Channel 7mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):7mA @ 15V
Email:[email protected]

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