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MMBD4448HW-7-F
- Número de pieza:
- MMBD4448HW-7-F
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15605 Pieces
- Ficha de datos:
- MMBD4448HW-7-F.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MMBD4448HW-7-F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MMBD4448HW-7-F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 150mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 80V |
| Paquete del dispositivo: | SOT-323 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
| Otros nombres: | MMBD4448HW-FDITR MMBD4448HW7F |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MMBD4448HW-7-F |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 80V 250mA Surface Mount SOT-323 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100nA @ 70V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 250mA |
| Capacitancia Vr, F: | 3.5pF @ 6V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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