MMBD2835LT1G
MMBD2835LT1G
Número de pieza:
MMBD2835LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15520 Pieces
Ficha de datos:
MMBD2835LT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):35V
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):4ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MMBD2835LT1GOS
MMBD2835LT1GOS-ND
MMBD2835LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:2 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMBD2835LT1G
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 35V 100mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de diodo:Standard
configuración de diodo:1 Pair Common Anode
Descripción:DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3
Corriente - Fuga inversa a Vr:100nA @ 30V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):100mA (DC)
Email:[email protected]

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