MKE11R600DCGFC
Número de pieza:
MKE11R600DCGFC
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18009 Pieces
Ficha de datos:
MKE11R600DCGFC.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 790µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOPLUS i4-PAC™
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:165 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:i4-Pac™-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MKE11R600DCGFC
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:52nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 15A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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