MJE350G
MJE350G
Número de pieza:
MJE350G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP 300V 0.5A TO225AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17454 Pieces
Ficha de datos:
MJE350G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):300V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:-
Tipo de transistor:PNP
Paquete del dispositivo:TO-225AA
Serie:-
Potencia - Max:20W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-225AA, TO-126-3
Otros nombres:MJE350GOS
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:MJE350G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 20W Through Hole TO-225AA
Descripción:TRANS PNP 300V 0.5A TO225AA
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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