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MJE271G
- Número de pieza:
- MJE271G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19544 Pieces
- Ficha de datos:
- MJE271G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MJE271G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MJE271G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 1.2mA, 120mA |
| Tipo de transistor: | PNP - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | TO-225AA |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 1.5W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Otros nombres: | MJE271G-ND MJE271GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MJE271G |
| Frecuencia - Transición: | 6MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 6MHz 1.5W Through Hole TO-225AA |
| Descripción: | TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1500 @ 120mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 1mA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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