MJE181G
MJE181G
Número de pieza:
MJE181G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 60V 3A TO225AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18118 Pieces
Ficha de datos:
MJE181G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.7V @ 600mA, 3A
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:TO-225AA
Serie:-
Potencia - Max:1.5W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-225AA, TO-126-3
Otros nombres:MJE181GOS
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:MJE181G
Frecuencia - Transición:50MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Descripción:TRANS NPN 60V 3A TO225AA
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):3A
Email:[email protected]

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