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MJD5731T4G
- Número de pieza:
- MJD5731T4G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PNP 350V 1A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18709 Pieces
- Ficha de datos:
- MJD5731T4G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MJD5731T4G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MJD5731T4G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 350V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 200mA, 1A |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | DPAK-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 1.56W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MJD5731T4G |
| Frecuencia - Transición: | 10MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3 |
| Descripción: | TRANS PNP 350V 1A DPAK |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 300mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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