MJD122G
MJD122G
Número de pieza:
MJD122G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17543 Pieces
Ficha de datos:
MJD122G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:4V @ 80mA, 8A
Tipo de transistor:NPN - Darlington
Paquete del dispositivo:DPAK-3
Serie:-
Potencia - Max:1.75W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:MJD122G-ND
MJD122GOS
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:25 Weeks
Número de pieza del fabricante:MJD122G
Frecuencia - Transición:4MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Descripción:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
Corriente - corte del colector (Max):10µA
Corriente - colector (Ic) (Max):8A
Email:[email protected]

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