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MJD112-1G
- Número de pieza:
- MJD112-1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17827 Pieces
- Ficha de datos:
- MJD112-1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MJD112-1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MJD112-1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 40mA, 4A |
| Tipo de transistor: | NPN - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 1.75W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres: | MJD112-1GOS MJD1121G |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 9 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MJD112-1G |
| Frecuencia - Transición: | 25MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-Pak |
| Descripción: | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 2A, 3V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 20µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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