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MJ11012G
- Número de pieza:
- MJ11012G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18161 Pieces
- Ficha de datos:
- MJ11012G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MJ11012G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MJ11012G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 60V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 4V @ 300mA, 30A |
| Tipo de transistor: | NPN - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | TO-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 200W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | TO-204AA, TO-3 |
| Otros nombres: | MJ11012G-ND MJ11012GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MJ11012G |
| Frecuencia - Transición: | 4MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-3 |
| Descripción: | TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 20A, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 1mA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 30A |
| Email: | [email protected] |
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