MDS60L - Microsemi Corporation - Transistores-bipolar (BJT)-RF MDS60L

MDS60L

Número de pieza:: MDS60L

Fabricante:: Microsemi

Descripción:: TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 12759 Pieces

Ficha de datos:: MDS60L.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	65V
Tipo de transistor:	NPN
Paquete del dispositivo:	55AW
Serie:	-
Potencia - Max:	120W
embalaje:	Bulk
Paquete / Cubierta:	55AW
Temperatura de funcionamiento:	200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):	-
Tipo de montaje:	Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	MDS60L
Ganancia:	10dB
Frecuencia - Transición:	1.03GHz ~ 1.09GHz
Descripción ampliada:	RF Transistor NPN 65V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 120W Chassis Mount 55AW
Descripción:	TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	20 @ 500mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):	4A
Email:	[email protected]

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