MDS60L
Número de pieza:
MDS60L
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12759 Pieces
Ficha de datos:
MDS60L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):65V
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:55AW
Serie:-
Potencia - Max:120W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:55AW
Temperatura de funcionamiento:200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):-
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MDS60L
Ganancia:10dB
Frecuencia - Transición:1.03GHz ~ 1.09GHz
Descripción ampliada:RF Transistor NPN 65V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 120W Chassis Mount 55AW
Descripción:TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 500mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):4A
Email:sales@bychips.com

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