MDS1100 - Microsemi Corporation - Transistores-bipolar (BJT)-RF MDS1100

MDS1100

Número de pieza:: MDS1100

Fabricante:: Microsemi

Descripción:: TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 18777 Pieces

Ficha de datos:: MDS1100.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	65V
Tipo de transistor:	NPN
Paquete del dispositivo:	55TU-1
Serie:	-
Potencia - Max:	8750W
embalaje:	Bulk
Paquete / Cubierta:	55TU-1
Temperatura de funcionamiento:	200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	MDS1100
Ganancia:	8.9dB
Frecuencia - Transición:	1.03GHz
Descripción ampliada:	RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
Descripción:	TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	20 @ 5A, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):	100A
Email:	[email protected]

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