MCR08BT1,115
MCR08BT1,115
Número de pieza:
MCR08BT1,115
Fabricante:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción:
THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19296 Pieces
Ficha de datos:
MCR08BT1,115.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - En estado (Vtm) (Max):1.7V
Tensión - Estado Off:200V
Tensión - disparo de la puerta (VGT) (Max):800mV
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:-
Tipo SCR:Sensitive Gate
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:1740-1191-2
568-11221-2
568-11221-2-ND
934056931115
MCR08BT1 T/R
MCR08BT1 T/R-ND
MCR08BT1,115-ND
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MCR08BT1,115
Descripción ampliada:SCR 200V 800mA Sensitive Gate Surface Mount SOT-223
Descripción:THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
Corriente - En estado (It (RMS)) (Max):800mA
Corriente - En estado (It (AV)) (Max):500mA
Corriente - Off Estado (Max):100µA
Corriente -. No Rep sobretensiones 50, 60 Hz (ITSM):8A, 9A
Corriente - Hold (Ih) (Max):5mA
Corriente - disparo de la puerta (lgt) (Max):200µA
Email:[email protected]

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