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MCH6661-TL-W
- Número de pieza:
- MCH6661-TL-W
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19349 Pieces
- Ficha de datos:
- MCH6661-TL-W.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MCH6661-TL-W, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MCH6661-TL-W por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.6V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SC-88FL/ MCPH6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 188 mOhm @ 900mA, 10V |
| Potencia - Max: | 800mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | MCH6661-TL-WOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 11 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MCH6661-TL-W |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 88pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.8A 800mW Surface Mount SC-88FL/ MCPH6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
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