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MCH5908G-TL-E
- Número de pieza:
- MCH5908G-TL-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17290 Pieces
- Ficha de datos:
- MCH5908G-TL-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MCH5908G-TL-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MCH5908G-TL-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id: | 300mV @ 100µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 5-MCPH |
| Serie: | - |
| Resistencia - RDS (on): | - |
| Potencia - Max: | 300mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 5-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | MCH5908G-TL-E-ND MCH5908G-TL-EOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MCH5908G-TL-E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10.5pF @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Descripción ampliada: | JFET 2 N-Channel (Dual) 10mA @ 5V 300mW Surface Mount 5-MCPH |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 |
| Consumo de corriente (Id) - Max: | 50mA |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 10mA @ 5V |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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