MBT6429DW1T1G
MBT6429DW1T1G
Número de pieza:
MBT6429DW1T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14511 Pieces
Ficha de datos:
MBT6429DW1T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):45V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor:2 NPN (Dual)
Paquete del dispositivo:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:MBT6429DW1T1G-ND
MBT6429DW1T1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:MBT6429DW1T1G
Frecuencia - Transición:700MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 700MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descripción:TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:500 @ 100µA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA
Corriente - colector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

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