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MBT35200MT1G
- Número de pieza:
- MBT35200MT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15758 Pieces
- Ficha de datos:
- MBT35200MT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MBT35200MT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MBT35200MT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 35V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 310mV @ 20mA, 2A |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 625mW |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 |
| Otros nombres: | MBT35200MT1GOSDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 9 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBT35200MT1G |
| Frecuencia - Transición: | 100MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP |
| Descripción: | TRANS PNP 35V 2A 6TSOP |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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