MBRT20030R
MBRT20030R
Número de pieza:
MBRT20030R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18632 Pieces
Ficha de datos:
1.MBRT20030R.pdf2.MBRT20030R.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:750mV @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):30V
Paquete del dispositivo:Three Tower
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Three Tower
Otros nombres:MBRT20030RGN
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:MBRT20030R
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Tipo de diodo:Schottky
configuración de diodo:1 Pair Common Anode
Descripción:DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr:1mA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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