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MBRM2H100T3G
- Número de pieza:
- MBRM2H100T3G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17391 Pieces
- Ficha de datos:
- MBRM2H100T3G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MBRM2H100T3G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MBRM2H100T3G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 840mV @ 2A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | Powermite |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-216AA |
| Otros nombres: | MBRM2H100T3G-ND MBRM2H100T3GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBRM2H100T3G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 100V 2A Surface Mount Powermite |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 20µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 2A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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