MBR200200CT
Número de pieza:
MBR200200CT
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12211 Pieces
Ficha de datos:
MBR200200CT.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:920mV @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:Twin Tower
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Twin Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:MBR200200CT
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 100A Chassis Mount Twin Tower
Tipo de diodo:Schottky
configuración de diodo:1 Pair Common Cathode
Descripción:DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr:3mA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):100A
Email:[email protected]

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