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MBR10100G
- Número de pieza:
- MBR10100G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 20646 Pieces
- Ficha de datos:
- MBR10100G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MBR10100G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MBR10100G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 800mV @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220-2 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | SWITCHMODE™ |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | MBR10100GOS |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBR10100G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 100V 10A Through Hole TO-220-2 |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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