MBD110DWT1G - ON Semiconductor - Diodos-RF MBD110DWT1G

MBD110DWT1G

Número de pieza:: MBD110DWT1G

Fabricante:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Descripción:: DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-363

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 14339 Pieces

Ficha de datos:: MBD110DWT1G.pdf

Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - inversa de pico (máxima):	7V
Paquete del dispositivo:	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:	-
Resistencia @ Si, F:	-
La disipación de energía (máximo):	120mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 125°C (TJ)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	MBD110DWT1G
Descripción ampliada:	RF Diode Schottky - 2 Independent 7V 120mW SC-88/SC70-6/SOT-363
Tipo de diodo:	Schottky - 2 Independent
Descripción:	DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-363
Corriente - Max:	-
Capacitancia Vr, F:	1pF @ 0V, 1MHz
Email:	[email protected]

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Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
CLA4606-000	Skyworks Solutions Inc.	DIODE LIMITER SILICON 45-75V	Investigación
BAR 50-02V E6768	Infineon Technologies	DIODE SIL PIN 50V 100MA SC-79	Investigación
SMP1345-004LF	Skyworks Solutions Inc.	PIN DIODE SOT-23 COMMON CATHODE	Investigación
BAP50-04W,115	NXP USA Inc.	DIODE PIN GP 50V 50MA SOT323	Investigación
HSMS-2827-TR1G	Broadcom Limited	DIODE SCHOTTKY RF QD 15V SOT-143	Investigación
QSMP-381F-TR2G	Broadcom Limited	DIODE PIN ATTENUATOR	Investigación

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