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MAP6KE36AE3
- Número de pieza:
- MAP6KE36AE3
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC T18
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12174 Pieces
- Ficha de datos:
- MAP6KE36AE3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MAP6KE36AE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MAP6KE36AE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 30.8V |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | 49.9V |
| Voltaje - Desglose (Min): | 34.2V |
| Canales unidireccionales: | 1 |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | T-18 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500 |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | 600W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | T-18, Axial |
| Otros nombres: | 1086-4562 1086-4562-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MAP6KE36AE3 |
| Descripción: | TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC T18 |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | 12A |
| Capacitancia Frecuencia: | - |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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