LN60A01ES-LF-Z
Número de pieza:
LN60A01ES-LF-Z
Fabricante:
MPS (Monolithic Power Systems)
Descripción:
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12753 Pieces
Ficha de datos:
LN60A01ES-LF-Z.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:190 Ohm @ 10mA, 10V
Potencia - Max:1.3W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-20°C ~ 125°C (TJ)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):2 (1 Year)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:LN60A01ES-LF-Z
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:3 N-Channel, Common Gate
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80mA
Email:[email protected]

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